Статьи

Недавно были объявлены победители конкурса грантов от Российского научного фонда. По итогам конкурса, 65 проектов, предложенных исследователями из Физтеха, получат поддержку РНФ. Среди них — два проекта от специалистов Центра междисциплинарных исследований. 

Когда модель «ломается», готового алгоритма не существует, приходится искать решение самому. Студент ФПМИ МФТИ Михаил Горковец объясняет, как на первом курсе втянулся в численное моделирование, освоил работу с удаленным вычислительным кластером и довел до публикаций исследования о вибрациях и взрывных воздействиях на здания и туннели.

Созданный алгоритм позволит увеличить поглощение излучения новыми материалами, что ускорит внедрение 6G-технологий в повседневную жизнь. Разработанная антенна обеспечивает стабильное полное сопротивление во всем диапазоне частот, что на 40% эффективнее аналогов.

Три года назад 22-летний Сэм Зелуф в гараже родительского дома создал микросхему, состоящую из 1200 транзисторов. Он повторил научно-техническое достижение конца 1960-х годов. Основные принципы фотолитографического процесса за полвека практически не изменились, только проектные нормы уменьшились на четыре порядка. И это масштабирование обошлось во всех смыслах дорогой ценой.

Рассказываем как из нескольких превосходных идей и ряда ключевых изобретений возникла Кремниевая долина — и за полвека создала мир, который существует постольку, поскольку миллиарды миллиардов крошечных транзисторов на кремниевых платах совершают свою работу на околосветовых скоростях.

Самая популярная формулировка закона Мура выглядит так: «Количество транзисторов на чипе удваивается каждые 18 месяцев». Но при этом закон Мура — не закон и не Мура. О том, что в прогнозе Говарда Мура осталось законного, рассуждает Юрий Аммосов.

Корреспондент журнала «За науку» побеседовал с президентом РАН Геннадием Красниковым о прошлом, настоящем и будущем микроэлектроники в России. Геннадий Яковлевич возглавляет кафедру микро- и наноэлектроники в МФТИ, больше 40 лет проработал в НИИ молекулярной электроники и на заводе «Микрон», пройдя путь от инженера до директора и научного руководителя.

В 2025 году лаборатория функциональных материалов и устройств для наноэлектроники Института квантовых технологий МФТИ отчиталась об успешном испытании промышленных прототипов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрического оксида гафния. Это большое достижение для российской микроэлектроники.

Коллектив лаборатории перспективных концепций хранения данных Института квантовых технологий МФТИ совместно с АО «НИИМЭ» успешно завершил ключевой этап разработки и изготовления макетов энергонезависимой памяти на основе сегнетоэлектрических полевых транзисторов (FeFET) с архитектурой 1Т-1С. Работа была выполнена в рамках проекта молодежной лаборатории МФТИ в области микроэлектроники.

Усовершенствованный подход основан на вычислении обменных взаимодействий спинов электронов с помощью анализа неоднородной магнитной восприимчивости взаимодействующей электронной системы. Неоднородная восприимчивость характеризует влияние малого неоднородного магнитного поля на материал. Метод не зависит от наличия дальнего магнитного порядка. Новый подход открывает возможности для предсказания магнитных свойств магнитных свойств материалов, что важно для развития спинтроники и квантовых технологий.